Выпрямители переменного напряжения ЧАСТЬ2

Выпрямители переменного тока часть 1.

Частотные свойства выпрямителей тока

B области повышенных частот на распределение напряжений в цепочке полупроводниковых приборов начинают влиять также и емкостные свойства диодов. B этой связи для выравнивания резистивно-емкостных характеристик цепочки диодов используют резистивно-емкостные цепи, подключаемые параллельно диодам.



Выравнивание свойств полупроводниковых диодов для работы на повышенных частотах




Выравнивание свойств полупроводниковых диодов резистивно-емкостными цепочками


Для современной радиоэлектроники характерны низкие напряжения электропитания. Высокие потери в диодах выпрямителя даже при напряжениях в единицы вольт обуславливают заметное снижение коэффициента полезного действия вторичных источников питания.

Обращенный диод

Потери в низковольтных выпрямителях могут быть уменьшены за счет замены традиционных диодов диодами c барьером Шотки, имеющими уменьшенное прямое падение напряжения (0,1...0,4В) и время восстановления менее 200 нс. Последнее позволяет эффективно использовать их в низковольтных выпрямителях на сравнительно высоких частотах. Основным недостатком диодов c барьером Шотки следует считать их большой обратный ток. Другим выпрямительным элементом, решающим те же задачи, что и диод Шотки, является обращенный диод. Принцип действия обращенного диода близок к туннельному. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики обращенного диода имеет обычный вид ВАХ диода, а обратная ветвь формируется за счет туннельного эффекта, что приводит к резкому увеличению обратного тока при возрастании напряжения.



Вольт-амперная характеристика обращенного диода


Если амплитуда выпрямляемого напряжения оказывается меньше прямого напряжения Uпр., то обращенный диод может выполнять функцию выпря мительного элемента c малыми потерями.



Вольт-амперные характеристики диодов


Экспериментальные вольт-амперные характеристики диодов: 1- обратная ветвь для GaAs обращенного диода 3И402И; 2- прямая ветвь для GaAs диода (светодиода оптрона АОД101А); 3- прямая ветвь Si-диода Д220Б

На рисунке показаны полученные экспериментально ВАХ диодов. Как видно, обращенный диод (при обратном включении) имеет меньшее падение напряжения по сравнению не только c диодом из того же материала (арсенида галлия). но и по сравнению c диодом из материала c более узкой запрещенной зоной (кремниевый диод). Приведенные кривые свидетельствуют о преимуществах обращенного диода при выпрямлении низких напряжений (менее 1В).

Обращенный диод имеет хорошие частотные свойства, так как y него отсутствует эффект накопления неосновных носителей заряда. ВАХ обращенного диода слабо зависит от температуры и от действия радиации; диод имеет малый уровень низкочастотного шума.

Транзисторные выпрямители тока

Как следует из ВАХ наиболее широко распространенных кремниевых диодов, они начинают проявлять свои выпрямительные свойства при напряжении более 500...600 мВ: по мере превышения этого порога ток на выходе выпрямителя начинает медленно возрастать.



Сравнение выпрямительных свойств инжекционного транзисторного элемента и обычного кремниевого диода


В. А. Масловский предложил использовать в качестве более эффективных низковольтных выпрямителей инжекционные транзисторные элементы.



Практическая схема выпрямителя на инжекционном транзисторном элементе


Полевой транзистор, впрочем, точно так же, как и биполярный, можно применить для двухполупериодного выпрямления. Если канал полевого транзистора рассматривать как вход устройства, а нагрузку подключить между затвором и общим проводом, то участки сток — затвор и исток — затвор будут выполнять функции двух высококачественных диодов.



Применение полевого транзистора для выпрямления сигналов


В выпрямителе на последнем рисунке реализуется важное достоинство полевого транзистора: высокое сопротивление р-n перехода транзистора в закрытом состоянии (108...1012 Ом). Это позволяет использовать высокоомные сопротивления нагрузки и конденсаторы нагрузки относительно малой емкости. Для симметрирования схемы выпрямителя предназначен потенциометр R1. Для достижения коэффициента передачи выпрямителя, близкого к единице, необходимо, чтобы выполнялось условие: Rн>>R1.

Особенно перспективны для выпрямления сигналив полевые транзисторы c индуцированным каналом.

Микросхемы серий ТТП и КМОП в качестве выпрямителей тока

Микросхемы серий ТТП и КМОП, если подробно изучить их внутреннюю структуру и принципиальную схему составляющих элементов, можно представить в виде своеобразного диодного моста, состоящего из диодов VD1 — VD6 (следующий рисунок). Диоды, хотя и рассчитaны на малый ток и предназначены для защиты микросхем при неправильном подключении к источнику питания и защиты входных цепей от перегрузки по напряжению, отличаются хорошей воспроизводимостью свойств и способны работать до частот порядка сотен кГц и выше.



Электрическая схема КМОП-элемента (слева) и зависимость сопротивления диодов микросхем от напряжения (справа)


Разработчиками было предложено использовать КМОП-микросхемы для выпрямления переменного тока. На графике приведены экспериментальные кривые, характеризующие зависимость сопротивления диодов микросхем от величины приложенного напряжения. На рисунке легко также заметить, что входные и выходные цепи микросхемы отличаются по способу включения диодов. На следующем рисунке показана возможность встречного включения двух инверторов для создания полноценного диодного выпрямительного моста.



Включение логических элементов для выполнения функции мостового выпрямления